SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条,第1-7条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王彦硕;  陈诺夫;  白一鸣;  黄添懋;  陈晓峰;  张汉
Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/240  |  提交时间:2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/254  |  提交时间:2011/08/31
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  张硕;  段瑞飞;  何志;  魏同波;  张勇辉;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(389Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:581/4  |  提交时间:2016/09/02
一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  安平博;  张硕;  赵丽霞;  段瑞飞;  路红喜;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:494/5  |  提交时间:2016/09/12
一种氮化物外延装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  张硕;  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(340Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:514/4  |  提交时间:2016/09/28
Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:595/10  |  提交时间:2016/09/22
具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  张烁;  马平;  郭仕宽;  刘波亭;  李晋闽;  王军喜
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:469/6  |  提交时间:2016/09/22