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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Yang JK;  Hu Q;  Duan RF;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(1157Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1707/473  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wang JX;  Zeng YP;  Li JM;  Yang Y;  Liu YL;  Wei TB Chinese Acad Sci Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1127/294  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Hu Q;  Duan RF;  Wei XC;  Huo ZQ;  Wang JX;  Zeng YP;  Wang GH;  Li JM;  Wei TB Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tbwei@semi.ac.cn
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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei ZF;  Xu SJ;  Duan RF;  Li Q;  Wang J;  Zeng YP;  Liu HC;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, CAS, Joint Lab New Mat, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1111/342  |  提交时间：2010/03/17