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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen W; Xing MX; Ren G; Wang K; Du XY; Zhang YJ; Zheng WH; Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡新宁; 王秋良; 崔春艳; 韩立; 谢亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈微 ; 邢名欣; 任刚; 王科; 杜晓宇; 张冶金; 郑婉华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王保柱; 安胜彪; 文环明; 武瑞红; 王晓君; 王晓亮
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| TO封装的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐桂芝; 王欣; 刘超; 祝宁华
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| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽
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