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氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑婉华;  王科;  任刚;  杜晓宇;  邢名欣;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Xing MX;  Ren G;  Wang K;  Du XY;  Zhang YJ;  Zheng WH;  Zheng WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡新宁;  王秋良;  崔春艳;  韩立;  谢亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈微;  邢名欣;  任刚;  王科;  杜晓宇;  张冶金;  郑婉华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宇;  陈硕夫;  王欣;  袁海庆;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  安胜彪;  文环明;  武瑞红;  王晓君;  王晓亮
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