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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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混合集成单纤三向器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  安俊明;  吴远大;  李建光;  李俊一;  胡雄伟 
Adobe PDF(373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1087/205  |  提交时间：2010/03/19
采用非平面工艺制备硅线波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  安俊明;  吴远大;  李建光;  李俊一;  胡雄伟
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1225/260  |  提交时间：2010/03/19
单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1362/211  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Chen J;  Wang X;  Wu AM;  Luo JX;  Zhang MA;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1307/325  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JR;  Hu M;  Wang XD;  Li GK;  Ji A;  Yang FH;  Liu J;  Wu NJ;  Chen HD;  Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Y;  Wu J;  Shi Y;  Dai FF;  Yao Y Auburn Univ Dept Elect & Comp Engn Auburn AL 36849 USA. E-mail Address: yaoyuan@auburn.edu;  wujie@vimicro.com;  yshi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang WZ;  Deng JJ;  Lu J;  Sun BQ;  Wu XG;  Zhao JH;  Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang ZM;  Jin C;  Jin P;  Wu J;  Wang ZG;  Liang ZM Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lzhm4321@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM;  Li J;  Li JY;  Wu YD;  Hu XW;  An JM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: junming@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1013/376  |  提交时间：2010/03/08