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4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘敏
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脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘敏
Adobe PDF(2348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：814/36  |  提交时间：2016/05/26
脉冲激光退火  Sic欧姆接触  数值模拟  接触特性