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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Qicong Li ; Yang Sun ; Cheng Yang ; Kong Liu ; Md. Rasidul Islam ; Long Li ; Zhijie Wang; Shengchun Qu
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Qicong Li; Yang Sun; Xiaodi Xue; Shizhong Yue; Kong Liu; Muhammad Azam; Cheng Yang; Zhijie Wang; Furui Tan; Yonghai Chen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu, Xiaoqing; Li, Yang; Liu, Jianming; Wei, Hongyuan; Liu, Xianglin; Yang, Shaoyan; Wang, Zhanguo; Wang, Huanhua
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| ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 杨安丽
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Znmgo Mocvd 纳米结构 异质结 价带差 |
| ⅠB 族元素掺杂ZnO 薄膜的制备及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 杨晓丽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
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| Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗
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