SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共16条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种可用于直下式LCD背光源的LED的透镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  梁 萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博 
Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/295  |  提交时间:2010/03/19
用于照明的LED平面光源结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  范曼宁;  梁萌;  王国宏
Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1170/209  |  提交时间:2009/06/11
AlGaInP基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭德博;  王国宏;  梁萌;  范曼宁
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1177/192  |  提交时间:2009/06/11
LED照明的LCD背光源结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博
Adobe PDF(692Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1280/214  |  提交时间:2009/06/11
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1859/302  |  提交时间:2012/09/09
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1566/306  |  提交时间:2012/09/09
一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  梁萌;  杨华;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:550/75  |  提交时间:2014/11/05
一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-02
发明人:  梁萌;  杨华;  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(631Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:523/77  |  提交时间:2014/10/31
利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:686/100  |  提交时间:2014/10/31
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:735/115  |  提交时间:2014/10/31