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无权访问的条目 学位论文
作者:  王小耶
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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：763/203  |  提交时间：2014/11/24
硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
发明人:  杨涛;  王小耶
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