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| 横向电子注入的AlGaN基深紫外LED研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 高幸发
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| 空穴传输层对钙钛矿太阳能电池稳定性的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 高峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高建霞; 宋国峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高建霞; 王岭娥; 宋国峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高建霞; 宋国峰
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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘媛媛; 方高瞻; 马骁宇
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