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Co2MnAl向半导体自旋极化注入研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  袁思芃
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自旋电子学  自旋注入  半金属  自旋探测  自旋发光二极管  
一种高极化度自旋注入与检测结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136535A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-27, 2012-08-29
发明人:  袁思芃
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