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| 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993 发明人: 陈志刚; 张 杨; 杨富华 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1130/193  |  提交时间:2010/03/19 |
| 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑婉华; 王科; 任刚; 杜晓宇; 邢名欣; 陈良惠 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1208/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作皮肤干电极的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 裴为华; 陈海峰; 崔世钢; 张若昕; 陈弘达 Adobe PDF(419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1515/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种单模光子晶体偏振分束器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 任刚; 郑婉华; 邢名欣; 王科; 杜晓宇; 陈良惠 Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2381/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种光子晶体减慢光速效应的测量方法及测量装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑婉华; 任刚; 邢名欣; 王科; 杜晓宇; 陈良惠 Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1084/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 二维纳米结构深刻蚀方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马小涛; 郑婉华; 杨国华; 任刚; 陈良惠 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1126/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1239/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 李翔; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军 收藏  |  浏览/下载:538/0  |  提交时间:2016/08/30 |
| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉 Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1205/204  |  提交时间:2011/08/31 |