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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, YS (Peng, Yin-Sheng);  Xu, B (Xu, Bo);  Ye, XL (Ye, Xiao-Ling);  Niu, JB (Niu, Jie-Bin);  Jia, R (Jia, Rui);  Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏莱;  王守觉;  徐菲菲;  王睿智
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1696/492  |  提交时间：2010/11/23
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z. M. Wang;  G. J. Salamo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王宝瑞;  孙征;  徐仲英;  孙宝权;  姬扬;  Z.M.Wang;  G.J.Salamo
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1019/316  |  提交时间：2010/11/23