|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐应强 ; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川
 Adobe PDF(607Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1500/314 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝瑞亭; 申兰先; 邓书康; 杨培志; 涂洁磊; 廖华; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(557Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1289/481 | 提交时间：2011/08/04 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(573Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1488/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1429/257 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(321Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1671/721 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(621Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1235/190 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1248/150 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1117/168 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(508Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1035/308 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Qin Han; Zhichuan Niu; Haiqiao Ni; Shiyong Zhang; Xiaohong Yang; Yun Du; Cunzhu Tong; Huan Zhao; Yingqiang Xu; Hongling Peng; Ronghan Wu
Adobe PDF(171Kb) | 收藏 | 浏览/下载：780/271 | 提交时间：2010/11/23 |
