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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/287  |  提交时间:2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL (Lu, Shulong);  Nosho H (Nosho, Hidetaka);  Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi);  Bian LF (Bian, Lifeng);  Dong JR (Dong, Jianrong);  Niu ZC (Niu, Zhichuan);  Lu, SL, Waseda Univ, Dept Appl Phys, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan. 电子邮箱地址: sllu2008@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  鞠研玲;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  倪海桥;  黄社松;  王鹏飞;  贺继方;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1696/492  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  彭震宇;  周志强;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1671/721  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang XY;  Dou XM;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Jiang DS;  Chang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
Adobe PDF(220Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1056/382  |  提交时间:2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XM;  Chang XY;  Sun BQ;  Xiong YH;  Niu ZC;  Ni HQ;  Jiang DS;  Dou, XM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1232/190  |  提交时间:2009/06/11