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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gai YQ; Li JB ; Hou QF; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Li JM; Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG; Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang ML; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yang CB; Tang J; Feng C; Jiang LJ; Hu GX; Ran JX; Wang MG; Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang XL; Chen TS; Xiao HL; Tang J; Ran JX; Zhang ML; Feng C; Hou QF; Wei M; Jiang LJ; Li JM; Wang ZG; Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang LJ; Wang XL; Xiao HL; Wang ZG; Feng C; Zhang ML; Tang J; Jiang LJ Chinese Acad Sci Novel Mat Lab Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ljjiang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang YX (Zhang Yun-Xiao); Liao ZY (Liao Zai-Yi); Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhou F (Zhou Fan); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Wang W (Wang Wei); Zhang, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangyx@semi.ac.cn
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