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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:  Wei M (Wei Meng);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Pan X (Pan Xu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Zhang ML (Zhang Minglan);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
Adobe PDF(668Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2424/494  |  提交时间：2011/07/15
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  Pan X (Pan Xu);  Wei M (Wei Meng);  Yang CB (Yang Cuibai);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XL (Wang Xiaoliang)
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3117/831  |  提交时间：2011/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1114/370  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1318/296  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin, Haibo;  Wang, Xiaoliang;  Ran, Junxue;  Hu, Guoxin;  Zhang, Lu;  Xiao, Hongling;  Li, Jing;  Li, Jinmin;  Yin, H.(hbyin@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1040Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1045/232  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Qingwen;  Wang Xiaoliang;  Xiao Hongling;  Ma Zeyu;  Zhang Xiaobin;  Hou Qifeng;  Li Jinmin;  Wang Zhanguo
Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1206/182  |  提交时间：2011/08/16
用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033960.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  胡国新;  王晓亮;  冉军学;  肖红领;  殷海波;  张露;  李晋闽
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用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033965.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  殷海波;  王晓亮;  胡国新;  冉军学;  肖红领;  张露;  李晋闽
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033967.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  肖红领;  张露;  殷海波;  李晋闽
Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1326/254  |  提交时间：2011/08/31