中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共65条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1431/220  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Li JM;  Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
Adobe PDF(107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1200/374  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang C (Fang Cheng);  Wang ZG (Wang Zhi-Gang);  Li SS (Li Shu-Shen);  Zhang P (Zhang Ping);  Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang-ping@iap.cm.ac.cn
Adobe PDF(975Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：884/269  |  提交时间：2010/03/08
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1462/246  |  提交时间：2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1335/200  |  提交时间：2009/06/11
一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1206/178  |  提交时间：2009/06/11
一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
Adobe PDF(843Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1182/186  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hou, QF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1427/423  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/394  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Guo, LC;  Li, JP;  Liu, HX;  Chen, YL;  Yang, FH;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yuntianbb@hotmail.com
Adobe PDF(261Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1292/471  |  提交时间：2010/03/08