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| 一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张日清; 刘祥林; 杨少延; 张晓沛; 董向芸
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美 ; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丛光伟; 刘祥林; 董向芸; 魏宏源; 王占国
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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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| 基于两端口微腔激光器空间干涉的光学生物传感器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 林建东; 黄永箴; 杨跃德; 肖金龙; 姚齐峰; 吕晓萌; 杜云
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| 一种利用半导体照明进行通信的系统及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081993.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 陈弘达; 朱琳; 陈雄斌; 裴为华; 刘博; 杨宇; 董赞; 关宁
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| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 一种用于单频激光器的激光腔型 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242355.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 赵伟芳; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 李港; 熊波; 董智勇; 刘燕楠; 鄢歆
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| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
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