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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K;  Zeng YP;  Li YY;  Cui LJ;  Wang JX;  Lu HX;  Cong PP;  Ding, K, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dingkai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding K;  Zeng YP;  Duan RF;  Wei XC;  Wang JX;  Ma P;  Lu HX;  Cong PP;  Li JM;  Ding K Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dingkai@red.semi.ac.cn
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利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张连;  丁凯;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  丁凯;  张连;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1528/264  |  提交时间：2011/08/31