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| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 孙国胜; 吴海雷 ; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
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| 碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
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| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅薄膜生长设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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| 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平
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