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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李德尧; 张书明 ; 王建峰; 陈俊; 陈良惠; 种明; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 杨辉; 梁骏吾
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈俊; 张书明; 张宝顺; 朱建军; 冯淦; 段俐宏; 王玉田; 杨辉; 郑文琛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun YP; Fu Y; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Shen XM; Zhao DG; Zheng XH; Duan LH; Li BC; Zhang SM; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙元平; 付羿; 渠波; 王玉田; 冯玉宏; 赵德刚; 郑新和; 段俐宏; 李秉臣; 张书明; 杨辉; 姜晓明; 郑文莉; 贾全杰
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| MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者: Yang H; Zhang SM; Xu DP; Li SF; Zhao DG; Fu Y; Sun YP; Feng ZH; Zheng LX; Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd Gan Ingan Cubic Led Chemical-vapor-deposition Molecular-beam Epitaxy Gallium Nitride Phase Epitaxy Ingan Films Electroluminescence Zincblende Wurtzite Mbe |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李顺峰; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 孙小玲; 王玉田; 张书明
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