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高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  李志聪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺;  王国宏
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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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