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高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  李志聪
Adobe PDF(3109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1304/121  |  提交时间:2011/06/07