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Two-color quantum well infrared photodetector simultaneously working at 10-14 mu m 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5720-5723
Authors:  Liu XY (Liu Xiao-Yu);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Zhang YH (Zhang Yan-Hua);  Huo YH (Huo Yong-Heng);  Chong M (Chong Ming);  Chen LH (Chen Liang-Hui)
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Quantum Well Infrared Photodetector  Two-color  Simultaneous Photoresponse  
GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究 期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 668-671
Authors:  黄寓洋;  刘惠春;  Wasileweski Z R;  Buchanan M;  Laframboise S R;  杨晨;  崔国新;  边历峰;  杨辉;  张耀辉
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LD多灰度数字驱动的非线性测量与校正系统 期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 249-251
Authors:  杨晨;  崔国新;  黄寓洋;  张耀辉;  杨辉
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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
Inventors:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
Adobe PDF(1161Kb)  |  Favorite  |  View/Download:952/231  |  Submit date:2010/03/19
控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
Inventors:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
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在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
Inventors:  周振宇;  陈涌海
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生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
Inventors:  范海波;  杨少延;  张攀峰;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  陈涌海;  王占国 
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Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
Authors:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Xiu XQ;  Li Y;  Fu DY;  Lu H;  Chen P;  Han P;  Zheng YD;  Tang CG;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang H;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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Inn  Dislocation  Carrier Origination  Localization  
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
Authors:  张曾;  张荣;  谢自力;  刘斌;  修向前;  李弋;  傅德颐;  陆海;  陈鹏;  韩平;  郑有炓;  汤晨光;  陈涌海;  王占国
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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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