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InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-07, 公开日期: 4009
发明人:  吴孟
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用于红外单光子探测的InP基盖革雪崩光电二极管的设计与工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  吴孟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹延名;  吴孟;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu Meng;  Lin Feng;  Yang Fuhua;  Cao Yanming
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Wei;  Yang Fuhua;  Wu Meng
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