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水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人:  袁丽君;  于红艳;  周旭亮;  王火雷;  潘教青
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
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一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:617/85  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:705/71  |  提交时间:2014/12/25
改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-16
发明人:  袁丽君;  于红艳;  周旭亮;  王火雷;  潘教青
Adobe PDF(611Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:733/114  |  提交时间:2014/10/24