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纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 076104-1-076104-4
Authors:  陈贵锋;  谭小动;  万尾甜;  沈俊;  郝秋艳;  唐成春;  朱建军;  刘宗顺;  赵德刚;  张书明
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蓝紫光InGaN多量子阱激光器 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2007, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 356-359
Authors:  李德尧;  张书明;  王建峰;  陈俊;  陈良惠;  种明;  朱建军;  赵德刚;  刘宗顺;  杨辉;  梁骏吾
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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 410-414
Authors:  张宝顺;  伍墨;  陈俊;  沈晓明;  冯淦;  刘建平;  史永生;  段丽宏;  朱建军;  杨辉
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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 期刊论文
中国科学. E辑, 技术科学, 2004, 卷号: 34, 期号: 0, 页码: 1
Authors:  陈俊;  张书明;  张宝顺;  朱建军;  冯淦;  段俐宏;  王玉田;  杨辉;  郑文琛
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GaN基MSM结构紫外光探测器 期刊论文
中国科学. G辑, 物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 34-38
Authors:  王俊;  赵德刚;  刘宗顺;  冯淦;  朱建军;  沈晓民;  张宝顺;  杨辉
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GaN外延膜厚度的x射线双晶衍射测量 期刊论文
中国科学. G辑,物理, 2003, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 122-125
Authors:  冯淦;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2002, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 737-742
Authors:  冯淦;  郑新和;  朱建军;  沈晓明;  张宝顺;  赵德刚;  孙元平;  张泽洪;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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