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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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作者:
Jin-Ming Shang
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Jian Feng
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Cheng-Ao Yang
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Sheng-Wen Xie
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Yi Zhang
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Cun-Zhu Tong
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Yu Zhang
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Zhi-Chuan Niu
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提交时间:2020/07/30
无权访问的条目
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提交时间:2018/06/15
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期刊论文
作者:
Chen, YF
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Dumcenco, DO
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Zhu, YM
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Zhang, X
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Mao, NN
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Feng, QL
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Zhang, M
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Tan, PH
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Huang, YS
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Xie, LM
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提交时间:2015/05/11
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期刊论文
作者:
Dong S (Dong Shan)
;
Zhu F (Zhu Feng)
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提交时间:2013/04/02
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期刊论文
作者:
Zhu, Yan
;
Ni, Hai-qiao
;
Wang, Hai-li
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He, Ji-fang
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Li, Mi-feng
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Shang, Xiang-jun
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Niu, Zhi-chuan
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Zhu, Y.(ttcow@126.com)
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提交时间:2012/06/14
磁性半导体材料的制备及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
朱峰
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浏览/下载:1092/49
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提交时间:2011/06/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, Lijuan
;
Zhan, Feng
;
Yu, Ying
;
Zhu, Yan
;
Liu, Shaoqing
;
Huang, Shesong
;
Ni, Haiqiao
;
Niu, Zhichuan
;
Wang, L.(ljwang09@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
王海莉
;
贺继方
;
朱岩
;
李密峰
;
王鹏飞
;
黄社松
;
熊永华
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浏览/下载:1650/204
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提交时间:2011/08/30
在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
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倪海桥
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王海莉
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李密峰
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朱岩
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徐应强
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牛智川
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提交时间:2012/08/29
制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:
杨冠东
;
朱峰
;
李京波
Adobe PDF(294Kb)
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浏览/下载:1175/229
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提交时间:2012/08/29