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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  李京波;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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染料敏化太阳能电池纳米复合光阳极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280259A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-12-14, 2012-08-29
发明人:  王美丽;  李京波;  王岩
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纳米线阵列/纳米晶多孔膜复合结构光阳极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102222572A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-10-19, 2012-08-29
发明人:  王美丽;  李京波;  王岩
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一种染料敏化太阳能电池复合电极及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157265A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人:  王岩;  李京波;  王美丽
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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
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一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241693.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李京波;  朱峰
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一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱峰;  李京波
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1164/167  |  提交时间：2011/08/30
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李京波;  纪攀峰;  朱峰
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