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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人: 李晋闽; 林学春; 熊 波; 侯 玮; 郭 林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤
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| 硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄昌俊; 邓晓清; 成步文; 王红杰; 杨沁清; 余金中; 胡雄伟; 王启明
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| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明
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| 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084036.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄
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| 一种测量非线性晶体热功率大小的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010257008.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊波; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 陈然; 马建立; 农光壹
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| 基于单块周期极化晶体输出双波长激光和太赫兹波的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010257017.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊波; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 张玲; 孙陆
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| 一种用于单频激光器的激光腔型 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242355.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 赵伟芳; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 李港; 熊波; 董智勇; 刘燕楠; 鄢歆
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| 宽调谐范围双波长输出光参量振荡器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237846.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊波; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 赵伟芳; 马建立; 张树宝
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