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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人: 李晋闽; 林学春; 熊 波; 侯 玮; 郭 林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang SB (Zhang Sh B.); Cui QJ (Cui Q. J.); Xiong B (Xiong B.); Guo L (Guo L.); Hou W (Hou W.); Lin XC (Lin X. C.); Li JM (Li J. M.); Zhang, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Light Sources, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: shbzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiong B; Zhang SB ; Guo L; Zhang L; Lin XC; Li JM; Xiong, B, Chinese Acad Sci, Lab All Solid State Light Sources, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xiongbo@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang L (Zhang Ling); Guo L (Guo Lin); Xiong B (Xiong Bo); Yu HJ (Yu Hai-Juan); Sun L (Sun Lu); Hou W (Hou Wei); Lin XC (Lin Xue-Chun); Li JM (Li Jin-Min); Zhang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab All Solid State Light Sources, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanglingphys@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma JL (Ma J. L.); Xiong B (Xiong B.); Guo L (Guo L.); Zhao PF (Zhao P. F.); Zhang L (Zhang L.); Lin XC (Lin X. C.); Li JM (Li J. M.); Duanmu QD (Duanmu Q. D.); Ma, JL, Changchun Univ Sci & Technol, Changchun 130022, Jilin, Peoples R China. E-mail Address: custmjl@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang L (Zhang L.); Guo L (Guo L.); Xiong B (Xiong B.); Yan X (Yan X.); Sun L (Sun L.); Hou W (Hou W.); Lin XC (Lin X. C.); Li JM (Li J. M.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma J (Ma J.); Guo L (Guo L.); Xiong B (Xiong B.); Yan X (Yan X.); Zhang S (Zhang S.); Chen R (Chen R.); Zhao W (Zhao W.); Lin X (Lin X.); Li J (Li J.); Duanmu Q (Duanmu Q.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王连洲; 王占国
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