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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, Guoguo;  Sun, Guosheng;  Wu, Hailei;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Liu, Xingfang;  Zeng, Yiping;  Wen, Jialiang;  Yan, G.(ggyan@semi.ac.cn)
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宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  闫果果
Adobe PDF(2242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1460/110  |  提交时间:2011/06/01
无权访问的条目 期刊论文
作者:  闫果果;  孙国胜;  吴海雷;  王雷;  赵万顺;  刘兴昉;  董林;  郑柳;  曾一平
Adobe PDF(482Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/433  |  提交时间:2012/07/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Hailei;  Sun, Guosheng;  Yang, Ting;  Yan, Guoguo;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Liu, Xingfang;  Zeng, Yiping;  Wen, Jialiang;  Wu, H.(hlwu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:956/210  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Hailei;  Sun, Guosheng;  Yang, Ting;  Yan, Guoguo;  Wang, Lei;  Zhao, Wanshun;  Liu, Xingfang;  Zeng, Yiping;  Wen, Jialiang;  Wu, H.(hlwu@semi.ac.cn)
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集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张峰;  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  刘兴昉;  闫果果;  曾一平
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一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙国胜;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  杨挺;  吴海雷;  闫果果;  曾一平;  李晋闽
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连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  郑柳;  董林;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
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HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  刘兴昉;  董林;  郑柳;  闫果果;  王雷;  赵万顺;  孙国胜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2509/513  |  提交时间:2012/08/29