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在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  赵建华;  王思亮;  俞学哲;  王海龙
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用于磁学和电学性质同步测量的SQUID密封腔系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  赵建华;  王海龙
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一种获得厚度大于10nm的室温铁磁性(Ga，Mn)As薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  赵建华;  王海龙
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