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| 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵洪泉; 于丽娟; 黄永箴 Adobe PDF(1184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:947/123  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种低温晶片直接键合方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵洪泉; 于丽娟; 黄永箴 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:972/133  |  提交时间:2009/06/11 |
| 硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 于丽娟; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴 Adobe PDF(454Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1185/160  |  提交时间:2011/08/30 |
| 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 晏磊; 于丽娟 Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1054/146  |  提交时间:2011/08/30 |
| Z字形自准直半导体光放大器热沉 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 于丽娟; 刘建国; 祝宁华 Adobe PDF(202Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:580/98  |  提交时间:2014/11/24 |
| 外腔窄线宽激光器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华 Adobe PDF(1002Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:460/10  |  提交时间:2016/09/12 |
| 少模面发射激光器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 刘建国; 于丽娟; 苏亚嫚; 祝宁华 Adobe PDF(769Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:362/7  |  提交时间:2016/09/12 |
| 斜腔半导体光放大器的耦合方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 于丽娟; 王玮钰; 袁海庆; 刘建国; 祝宁华 Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:288/2  |  提交时间:2016/09/12 |
| 测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 王玮钰; 于丽娟; 孙文惠; 刘建国; 祝宁华 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:285/2  |  提交时间:2016/09/12 |