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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  于丽娟;  杜云;  赵烘泉;  黄永箴
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用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128380.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  晏磊;  于丽娟
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