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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张明兰;  杨瑞霞;  王晓亮;  胡国新;  高志
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张明兰;  王晓亮;  杨瑞霞;  胡国新
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高压开关AlGaN/GaN HEMT材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  张明兰
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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