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高压开关AlGaN/GaN HEMT材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  张明兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ML;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Tang J;  Feng C;  Jiang LJ;  Hu GX;  Ran JX;  Wang MG;  Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang LJ;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang ZG;  Feng C;  Zhang ML;  Tang J;  Jiang LJ Chinese Acad Sci Novel Mat Lab Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ljjiang@semi.ac.cn
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