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| 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 王 颖; 韩伟华 ; 杨 香; 张 杨; 杨富华
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张日清; 刘祥林; 杨少延; 张晓沛; 董向芸
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| 具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩伟华; 杨香
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| 围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩伟华; 杨香
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li T; Xiang Y; Liu YK; Wang J; Yang SL; Li T China Three Gorges Univ Coll Chem & Life Sci Yichang 443002 Peoples R China. E-mail Address: frank_xiang68@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang J (Wang Jun); Li SS (Li Shu-Shen); Lu YW (Lue Yan-Wu); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| SOI纳米结构晶体管的制备与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 杨香
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| 高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 杨少延; 焦春美
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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