中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shaodong, Ma;  Hongling, Peng;  Wei, Chen;  Bin, Jiang;  Wanhua, Zheng,;  Wanhua, Z.(whzheng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：836/279  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YJ (Zhang Yejin);  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Aiyi Q (Aiyi Qi);  Qu HW (Qu Hongwei);  Peng HL (Peng Hongling);  Xie SZ (Xie Shizhong);  Chen LH (Chen Lianghui);  Zhang, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. yjzhang@semi.ac.cn;  whzheng@semi.ac.cn;  qiaiyi@semi.ac.cn;  quhw@semi.ac.cn;  hlpeng@semi.ac.cn;  xsz-dee@tsinghua.edu.cn;  chenlh@semi.ac.cn
Adobe PDF(558Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1484/488  |  提交时间：2010/12/05
基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马绍栋;  郑婉华;  陈微;  周文君;  刘安金;  彭红玲
Adobe PDF(360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1378/271  |  提交时间：2011/08/31
基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马绍栋;  付非亚;  王宇飞;  王海玲;  彭红玲;  郑婉华
Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1102/262  |  提交时间：2012/09/09
一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  彭红玲;  渠宏伟;  马绍栋
Adobe PDF(1058Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1375/287  |  提交时间：2012/09/09
一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  彭红玲;  郑婉华;  石岩;  马绍栋
Adobe PDF(472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1320/277  |  提交时间：2012/09/09
一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  渠红伟;  彭红玲;  王海玲;  马绍栋
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1195/324  |  提交时间：2012/09/09