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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘俊朋;  曲胜春;  王占国
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在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  王占国
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利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
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氧化锌-维纳米材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭文琴;  曲胜春;  王占国
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不同粒径银纳米颗粒修饰二氧化钛纳米管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256808.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  谭付瑞;  曲胜春;  王占国
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单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010121621.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐爱伟;  曲胜春;  王占国
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定量检测痕量罗丹明6G的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102109467A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张君梦;  曲胜春;  张利胜;  王占国
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