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在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  提刘旺;  杨晓红;  韩 勤
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在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  杨晓红;  韩 勤;  提刘旺
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倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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InGaAsP/InP Bistability Triangle Microlasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Yang YD (Yang Yue-De);  Wang SJ (Wang Shi-Jiang);  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Du Y (Du Yun)
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Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Ji;  HM;  Cao;  YL;  Xu PF;  Gu YX;  Ma WQ;  Liu Y;  Wang X;  Xie L;  Yang T;  Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Chen J;  Wang X;  Wu AM;  Luo JX;  Zhang MA;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, YD (Yang, Yue-De);  Wang, SJ (Wang, Shi-Jiang);  Huang, YZ (Huang, Yong-Zhen);  Yang, YD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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