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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang, Hao X.; Zhang, Wei; Liu, Yan Y.; Zhang, Liang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi K (Shi K.); Zhang PF (Zhang P. F.); Wei HY (Wei H. Y.); Jiao CM (Jiao C. M.); Jin P (Jin P.); Liu XL (Liu X. L.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝会颖; 李伟民; 曾湘波; 孔光临; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(278Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1313/348 | 提交时间：2010/08/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng YC (Peng Ying-Cai); Fan ZD (Fan Zhi-Dong); Bai ZH (Bai Zhen-Hua); Zhao XW (Zhao Xin-Wei); Lou JZ (Lou Jian-Zhong); Cheng X (Cheng Xu); Peng, YC, Hebei Univ, Coll Elect & Informat Engn, Baoding 071002, Peoples R China.电子邮箱地址: ycpeng2002@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP (Song H. P.); Zheng GL (Zheng G. L.); Yang AL (Yang A. L.); Guo Y (Guo Y.); Wei HY (Wei H. Y.); Li CM (Li C. M.); Yang SY (Yang S. Y.); Liu XL (Liu X. L.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.); Song, HP, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源 ; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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