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一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香;  吴南健
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang Xiang;  Han Weihua;  Wang Ying;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang Y;  Han WH;  Yang X;  Chen JJ;  Yang FH;  Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang QZ;  Yu JZ;  Chen SW;  Xu XJ;  Han WH;  Fan ZC;  Huang, QZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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