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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Huijie;  Liu, Guipeng;  Wei, Hongyuan;  Jiao, Chunmei;  Wang, Jianxia;  Zhang, Heng;  Dong Jin, Dong;  Feng, Yuxia;  Yang, Shaoyan;  Wang, Lianshan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhan-Guo
Adobe PDF(790Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：783/187  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM;  Liu XL;  Li CM;  Wei HY;  Guo Y;  Jiao CM;  Li ZW;  Xu XQ;  Song HP;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL;  Yang TY;  Wang HH;  Liu, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. liujianming@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(4152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1336/335  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K;  Liu XL;  Li DB;  Wang J;  Song HP;  Xu XQ;  Wei HY;  Jiao CM;  Yang SY;  Song H;  Zhu QS;  Wang ZG;  Shi, K, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  lidb@ciomp.ac.cn
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1955/661  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng GL (Zheng Gaolin);  Wang J (Wang Jun);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang AL (Yang Anli);  Song HP (Song Huaping);  Guo Y (Guo Yan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Jiao CM (Jiao Chunmei);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Zheng, GL, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhenggl@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1516/503  |  提交时间：2010/08/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng GL;  Yang AL;  Wei HY;  Liu XL;  Song HP;  Guo;  Y;  Jia CH;  Jiao CM;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zheng, GL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhenggl@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(689Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1522/593  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王振华;  杨安丽;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1043/184  |  提交时间：2012/09/09
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  冯玉霞;  杨少延;  魏鸿源;  焦春美;  孔苏苏
Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：611/69  |  提交时间：2014/11/24
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:  杨少延;  冯玉霞;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：664/90  |  提交时间：2014/11/05