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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Wei HY ; Liu XL; Song HP; Zheng GL; Guo Y; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang AL; Song HP; Liu XL; Wei HY; Guo Y; Zheng GL; Jiao CM; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG; Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 高温原位减薄硅基底的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 杨少延; 焦春美
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| δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 魏鸿源; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美; 王占国
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| 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林
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| 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘祥林; 赵凤瑷; 焦春美; 董向芸; 张晓沛; 范海波; 魏宏源; 张攀峰; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu WG; Jiao CM; Wei HY; Zhang PF; Kang TT; Zhang RQ; Liu XL; Hu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: sivamay@semi.ac.cn
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| 电磁阀 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 焦春美; 赵风瑷
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林
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