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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang XJ;  He JF;  Wang HL;  Li MF;  Zhu Y;  Niu ZC;  Fu Y;  Shang, XJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xjshang@semi.ac.cn;  fyg@theochem.kth.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu SQ;  Han Q;  Zhu B;  Yang XH;  Ni HQ;  He JF;  Wang X;  Li MF;  Zhu Y;  Wang J;  Wang XP;  Niu ZC;  Liu, SQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. sqliu@semi.ac.cn;  hanqin@red.semi.ac.cn
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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