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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1663/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1391/248  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东 Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1095/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉 Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1562/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马绍栋; 郑婉华; 陈微; 周文君; 刘安金; 彭红玲 Adobe PDF(360Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1359/271  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马绍栋; 付非亚; 王宇飞; 王海玲; 彭红玲; 郑婉华 Adobe PDF(488Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1072/262  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 彭红玲; 渠宏伟; 马绍栋 Adobe PDF(1058Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/287  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 彭红玲; 郑婉华; 石岩; 马绍栋 Adobe PDF(472Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1300/277  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 马传龙; 范学东; 渠红伟; 彭红玲; 王海玲; 马绍栋 Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 闫建昌; 王军喜; 张韵; 丛培沛; 孙莉莉; 董鹏; 田迎冬; 李晋闽 Adobe PDF(972Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:730/66  |  提交时间:2014/11/24 |