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采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人:  鞠研玲;  杨晓红;  韩 勤
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在高低温工作条件下对光电器件进行测试的装置和方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  提刘旺;  杨晓红;  韩 勤
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在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  杨晓红;  韩 勤;  提刘旺
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XH (Yang Xiaohong);  Xu XL (Xu Xiulai);  Wang XP (Wang Xiuping);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  Han Q (Han Qin);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Williams DA (Williams David A.);  Yang, XH, Cavendish Lab, Hitachi Cambridge Lab, JJ Thompson Ave, Cambridge CB3 0HE, England.E-mail Address: xhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang ZL (Huang Zengli);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Liu ZH (Liu Zhenghui);  Xu K (Xu Ke);  Yang H (Yang Hui);  Cao B (Cao Bing);  Han Q (Han Qin);  Zhang GJ (Zhang Guiju);  Wang CH (Wang Chinhua);  Wang, JF, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215125, Peoples R China. 电子邮箱地址: jfwang2006@sinano.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu B (Zhu Bin);  Han Q (Han Qin);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He JF (He Ji-Fang);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang X (Wang Xin);  Wang XP (Wang Xiu-Ping);  Wang J (Wang Jie);  Zhu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhubin@semi.ac.cn
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