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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, YS (Peng, Yin-Sheng)
;
Xu, B (Xu, Bo)
;
Ye, XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Niu, JB (Niu, Jie-Bin)
;
Jia, R (Jia, Rui)
;
Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo)
;
Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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浏览/下载:1042/384
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang B
;
Xu YQ
;
Zhou ZQ
;
Hao RT
;
Wang GW
;
Ren ZW
;
Niu ZC
;
Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1247/374
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou ZQ
;
Xu YQ
;
Hao RT
;
Tang B
;
Ren ZW
;
Niu ZC
;
Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1100/306
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu, D
;
Wang, H
;
Wu, B
;
Ni, H
;
Huang, S
;
Xiong, Y
;
Wang, P
;
Han, Q
;
Niu, Z
;
Tangring, I
;
Wang, SM
;
Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1014/375
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou, ZQ
;
Xu, YQ
;
Hao, RT
;
Tang, B
;
Ren, ZW
;
Niu, ZC
;
Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1093/296
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
方志丹
;
崔碧峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
邢艳辉
;
牛智川
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浏览/下载:982/317
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
;
ji_ym@mail.sic.ac.cn
;
zyxu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1054/299
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提交时间:2010/03/29
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
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提交时间:2009/06/11
Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(305Kb)
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浏览/下载:1626/401
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation